LDMOS晶体管及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201710598075.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109285780B | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN109285780B | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵猛 | 申请（专利权）人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 上海德禾翰通律师事务所 | 代理人 | 侯莉 |
| 地址 | 300385天津市西青区兴华道19号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种LDMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离结构；在所述半导体衬底中形成漂移区，所述漂移区包围所述隔离结构，所述漂移区掺杂有第一类型的离子；在所述漂移区及所述半导体衬底上方形成栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述漂移区、隔离结构；向所述漂移区表面进行离子注入，所述离子注入包含注入中和离子，所述中和离子的掺杂类型与所述第一类型的离子掺杂类型相反；在栅极结构的两侧分别形成漏区及源区。 |
