一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤
基本信息
| 申请号 | CN202110849321.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113572004B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN113572004B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01S3/067（2006.01）I;H01S3/0941（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马修泉;郑家容;刘怀亮 | 申请（专利权）人 | 广东国志激光技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京华际知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 523000广东省东莞市松山湖园区科技九路1号2栋3单元101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公布了一种特定结构的边发射半导体激光耦合光纤，该光纤包括高折射率的纤芯，包覆于纤芯外表面的低折射率包层以及包覆与包层外表面的高分子涂覆层，其中纤芯的横截面为非圆形，可以是方形、椭圆形和矩形等与边发射半导体激光输出的光斑阵列相匹配的形状。该光纤可以提高光纤横截面有效耦合面积的利用率，提高半导体激光的输出功率密度。 |
