一种用于MOCVD设备GaAs基外延掺杂源供给系统
基本信息
| 申请号 | CN201910572208.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112144038A | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112144038A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C23C16/18(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴作贵;朱忻 | 申请（专利权）人 | 张家港恩达通讯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐岩 |
| 地址 | 215614江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园E栋，恩达通讯 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及金属有机物化学气相沉积设备技术领域，具体涉及一种用于MOCVD设备GaAs基外延掺杂源供给系统，旨在解决实际生产过程中掺杂源过期使用或未使用完即需更换，从而导致生产的产品质量不能保证，以及生产成本增加的问题，其技术要点在于供若干种类的载气及掺杂源输入并输出调整所得气体的流通管路、至少两台与所述流通管路相连的MOCVD设备，以及一控制子系统，所述载气与所述掺杂源混合稀释以输出指标实时数据符合指标目标数据的所述调整所得气体；所述控制子系统包括数字化传感器；执行件；与所述数字化传感器通信连接，将数字化传感器检测所得的指标实时数据与对应的指标目标数据比对，并控制所述执行件动作的控制端。 |
