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具有反射层的铟镓砷光电探测器及其制备方法

基本信息

申请号	CN201910572210.0	申请日	-
公开（公告）号	CN112234116A	公开（公告）日	2021-01-15
申请公布号	CN112234116A	申请公布日	2021-01-15
分类号	H01L31/105(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	吴作贵;朱忻;托马斯·盖德	申请（专利权）人	张家港恩达通讯科技有限公司
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	陈小玲
地址	215614江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园E栋，恩达通讯
法律状态	-

摘要

本发明涉及光电子设备技术领域，具体涉及一种具有反射层的铟镓砷光电探测器及其制备方法，旨在解决现有技术中光电探测器的材料厚度大、光生载流子的自由程高、器件的量子效率和工作效率低，其技术要点在于包括通过MOCVD制得的外延结构，所述外延结构包括依次设置的InP衬底、InP缓冲层、GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层、InGaAs吸收层，InP窗口层；其中，所述GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层用以反射入射波段的光子。本发明在铟镓砷光电探测器中增加了GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层，使更多穿透吸收层的光子反射回来重新吸收，可以在较薄吸收层的情况下，获得较强的光吸收，减少光生载流子的自由程，提高器件的量子效率和工作速度，降低器件暗电流。