同时用于多台MOCVD设备的气源供给系统
基本信息

| 申请号 | CN201910572209.8 | 申请日 | - |
| 公开(公告)号 | CN112144041A | 公开(公告)日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN112144041A | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | C23C16/455;C30B25/14 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴作贵;朱忻;顾晓岚 | 申请(专利权)人 | 张家港恩达通讯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张韬 |
| 地址 | 215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园E栋,恩达通讯 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要

| 摘要 | 本发明涉及金属有机物化学气相沉积设备技术领域,具体涉及一种同时用于多台MOCVD设备的气源供给系统,旨在解决根据目标产品的不同,同一设备上同种MO源需要多瓶,每瓶MO源则需要一台电子恒温器,且由于电子恒温器价格昂贵,导致了MOCVD设备制造成本增加,其技术要点在于若干供载气及掺杂源输入并输出调整所得气体的流通管路、至少两台与所述流通管路均连通的MOCVD设备,以及一控制子系统;所述控制子系统包括:设置于所述流通管路上、控制所述流通管路流通状态的执行件;与所述执行件连接、控制所述执行件动作的控制端。本发明根据不同设备不同工艺需求摩尔流量的不同采用了不同量程的流量计设计,实现了每台设备对掺杂源注入摩尔流量的精确控制。 |





