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一种分立的功率mos场效应管

基本信息

申请号	CN201621426629.3	申请日	-
公开（公告）号	CN206301804U	公开（公告）日	2017-07-04
申请公布号	CN206301804U	申请公布日	2017-07-04
分类号	H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	谭在超;罗寅;丁国华;邹望杰	申请（专利权）人	西安锴威半导体有限公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	徐文权
地址	710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园瞪羚谷B303室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种分立的功率mos场效应管，在功率mos场效应管成型过程中，首先在外延层中形成源区，对成型的源区进行接触孔腐蚀，接触孔区域进行P+注入与原有P+区衔接形成P+区，然后进行金属淀积形成金属层，最终得到金属层与源区的N+和P+接触，工艺过程中减少了原有工艺过程中两次光刻腐蚀分别形成N+和P+的光刻过程，从而将功率MOS制造流程减少一次光刻，从而简化制造流程，降低生产成本，采用刻硅技术缩短了P+到金属层接触的路径，从而减小了寄生P+电阻，进而可抑制寄生NPN管的开启，有利于提高雪崩击穿耐量，采用先形成源区，再对成型的源区进行接触孔腐蚀，避免了由于N+浓度远高于P+浓度导致在接触孔光刻后的P+注入无法形成的麻烦。