一种锗砷硒碲合金靶材及其制备方法
基本信息
申请号 | CN201910526762.8 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN110396666B | 公开(公告)日 | 2021-04-06 |
申请公布号 | CN110396666B | 申请公布日 | 2021-04-06 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C30/00(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 石红春;刘晓华;朱晨阳;何金江;杨海;雷继锋 | 申请(专利权)人 | 有研新材料股份有限公司 |
代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈波 |
地址 | 100088北京市海淀区北三环中路43号院有研新材料股份有限公司 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种低氧大尺寸锗砷硒碲合金靶材及其制备方法,所述合金包括以下各组分及其原子百分比:锗15~25%;砷20~40%;硒30~50%;碲3~10%,上述各原料混合后原子百分比之和为100%;所述制备方法包括将靶材原料蒸馏提纯后按上述配比混合放入石英管中,真空熔封后再加入10ppm的高纯GeCl4,再次熔封。二次熔封后的石英管放入摇摆炉中熔制、退火得到小尺寸铸锭,经热等静压处理将小尺寸铸锭扩散连接制备成大尺寸合金靶坯,靶坯经机械加工成大尺寸锗砷硒碲合金靶材。此方法制备的合金靶材规格为Dia(150~450mm)×Th(5~30mm),杂质氧含量小于100ppm,相对密度大于99%。 |
