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一种GaAs工艺K波段变频器结构芯片

基本信息

申请号	CN202110092386.3	申请日	-
公开（公告）号	CN112928994A	公开（公告）日	2021-06-08
申请公布号	CN112928994A	申请公布日	2021-06-08
分类号	H03D7/16	分类	基本电子电路;
发明人	黄军恒	申请（专利权）人	合肥芯谷微电子股份有限公司
代理机构	昆明合众智信知识产权事务所	代理人	朱世新
地址	230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种GaAs工艺K波段变频器结构芯片，工作频率17.7GHz‑23.4GH，基波信号输入频率是8.85GHz‑11.7GHz，输入信号经过基波放大器进行信号放大，放大信号驱动二倍频器进行工作，使信号进行二次倍频，经过滤波器，更进一步滤除杂波。实现了从X到K波段的倍频功能，达到了16dBm的输出功率，且功率平坦度较好，具有良好的各次谐波抑制度，达到了55dBc。放大后的本振信号经过本振I/Q电桥，分成两路相位差别90°的信号，分别进入混频器，双平衡混频器分别和输入的中频I信号和中频Q信号进行混频，混频后的信号进过射频I/Q电桥进行合成，有效的抑制镜像信号，抑制度达到了50dBc。射频信号最后进入低噪声射频放大器，输出功率大于17dBm，噪声小于10dB，实现0.05W的射频功率输出。