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一种GaAsE/D工艺低功耗反相器电路

基本信息

申请号	CN202110092387.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112865783A	公开（公告）日	2021-05-28
申请公布号	CN112865783A	申请公布日	2021-05-28
分类号	H03K19/094(2006.01)I	分类	基本电子电路;
发明人	梅连峰;黄军恒	申请（专利权）人	合肥芯谷微电子股份有限公司
代理机构	昆明合众智信知识产权事务所	代理人	朱世新
地址	230088安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期F1楼1001-1002室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种GaAs E/D工艺低功耗反相器电路，Vin为TTL控制逻辑电平，经过6个二极管降压，将TTL逻辑控制信号转化为能够满足GaAs E管打开或关断需求的高低电平的‑4/‑5V。电位平移末端的D管(DM1)漏极与第一级反相中的E管(EM3)栅极相连，第一级输出(Vout1)连接一个栅极和源极相连的E管(EM4)漏极接到第二级反相中的E管(EM6)栅极，并通过E管(EM6)漏极作为第二级输出(Vout2)。最终得到一对互补的差分信号，输出高低电平分别为0/‑4.95V，能够满足GaAs开关打开或关断的需求。其中D管(DM2)、D管(DM5)的栅极和源极互连构成恒流源，并通过堆叠结构以及串联电阻的方式降低静态功耗。