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一种芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法

基本信息

申请号 CN201810978762.7 申请日 -
公开（公告）号 CN109148315B 公开（公告）日 2019-01-04
申请公布号 CN109148315B 申请公布日 2019-01-04
分类号 H01L21/66(2006.01)I 分类 -
发明人 王亮;左振宏 申请（专利权）人 苏州芯联成软件有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 215123江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园7栋101-103室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法，在第二金属层时，初步判断是否存在通孔虚假连接的状态，确定多处通孔的位置，进行FIB的纵切确认，若确认芯片在制作工艺中使用了虚假通孔后，运用IBE对第二金属层的表面进行轻微蚀刻，将通孔在高度的同一平面上同时进行刻蚀，再运用扫描电子显微镜的二次电子扫描从而辨别出有实际连接关系的通孔。通过上述，本发明的芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法，运用IBE对芯片表面进行轻微蚀刻，将两类通孔在高度的同一平面上同时进行降低，加强二次电子扫描成像效果，从而区分出虚假连接的通孔，排除了由于虚假连接的通孔对于后期电路分析影响，可以大大的提高电路逆向分析的正确性。