III-V族材料芯片去层方法
基本信息
| 申请号 | CN202011566100.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112687535A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112687535A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 左振宏;赵一成 | 申请（专利权）人 | 苏州芯联成软件有限公司 |
| 代理机构 | 苏州言思嘉信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘巍 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园7栋101-104室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了III‑V族材料芯片去层方法，包括以下步骤：MXS1：准备需要去层的目标芯片；S2：对目标芯片进行研磨，研磨掉其封装材料直至衬底层完全露出，并将该面作为上面；S3：将目标芯片朝上放置在玻璃底座上，将配置好的环氧树脂覆盖芯片外表面，待环氧树脂完全固化；S4：待环氧树脂完全固化后，将镶嵌环氧树脂的芯片在抛光机上减薄；S5：研磨目标芯片衬底层，之后依次去除芯片M1层，直至层，其中1 |
