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一种改善硼掺杂对绒面金字塔损伤的方法及装置

基本信息

申请号 CN202111346939.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114203840A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114203840A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L31/0288（2006.01）I;H01L21/223（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李家栋;王建明;章康平;刘勇 申请（专利权）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人 苏培华
地址 324022浙江省衢州市绿色产业集聚区东港片区百灵南路43号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种改善硼掺杂对绒面金字塔损伤的方法及装置，涉及太阳能电池技术领域。所述方法包括，A、将原硅片制绒，得到制绒后的硅片；B、将所述制绒后的硅片置于扩散炉内，通入硼源和氧气进行沉积，沉积结束后停止硼源和氧气的通入；C、升高扩散炉内的温度，通入水蒸汽，进行氧化，氧化结束后，停止水蒸汽的通入；D、升高扩散炉内的温度，在惰性气体或氮气氛围下加热，进行推进；E、降低扩散炉内的温度，得到硼掺杂的硅片。本发明采用水蒸汽代替氧气进行氧化反应和高温无氧环境进行推进，避免硅片形成的绒面金字塔的破坏，进而降低了制得的硼掺杂硅片掺杂面反射率。