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一种P型晶体硅太阳能电池及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010911617.4 申请日 -
公开（公告）号 CN114203854A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114203854A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王洪喆;刘勇;朴松源;潘强强;李家栋;蔡伦 申请（专利权）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人 莎日娜
地址 324022浙江省衢州市绿色产业集聚区东港片区百灵南路43号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法及P型晶体硅太阳能电池，该制备方法包括：在P型晶体硅基底的第一面扩散磷，形成N型晶体硅结构和第一磷硅玻璃层；在第一磷硅玻璃层上形成第一凹槽，使N型晶体硅结构暴露；在第一凹槽内进行一系列工艺，使第一凹槽内包括第一氧化硅层和N型重掺杂多晶硅；最后印刷银电极和铝电极。本发明实施例能够利用现有P型晶体硅太阳能电池生产设备实现太阳能电池的制备，与现有的生产设备兼容性强，进而实现太阳能电池制备流程的稳定性较高。只对第一凹槽内的N型晶体硅结构进行氧化处理，保证了非电极接触区域的良好光吸收。