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一种硅基底制备方法及太阳能电池

基本信息

申请号 CN202010969860.1 申请日 -
公开（公告）号 CN114188436A 公开（公告）日 2022-03-15
申请公布号 CN114188436A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/225（2006.01）I;H01L31/068（2012.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 潘强强;刘勇;朴松源;王洪喆;王路;李家栋 申请（专利权）人 一道新能源科技（衢州）有限公司
代理机构 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人 莎日娜
地址 324022浙江省衢州市绿色产业集聚区东港片区百灵南路43号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种硅基底制备方法及太阳能电池，属于光伏技术领域。本发明提供的硅基底制备方法，通过在硅片中两次不同深度的磷扩散，从而灵活调整磷在硅片中的浓度分布，此时，硅基底的表面浓度较高，且表面浓度下降趋势较为平缓，优化了硅片与金属电极的欧姆接触，降低了接触电阻，提高了基于该硅片的太阳能电池的填充因子；体内浓度较低，降低了硅片的体内复合，提高了基于该硅片的太阳能电池的开路电压与短路电流；最后，上述改进没有增加磷扩散过程所需的时间，也没有引入其他制备工艺，便于在现有的规模化生产中应用，改进成本低。