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一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管

基本信息

申请号	CN202120660339.X	申请日	-
公开（公告）号	CN216015372U	公开（公告）日	2022-03-11
申请公布号	CN216015372U	申请公布日	2022-03-11
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	徐守一;赖银坤;蔡铭进	申请（专利权）人	厦门芯达茂微电子有限公司
代理机构	厦门加减专利代理事务所（普通合伙）	代理人	杨泽奇
地址	361000福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场北楼606、607、609室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅场效应管，包括衬底层和外延层，外延层背离衬底层的一侧具有栅极沟槽，栅极沟槽内具有栅极氧化层以及栅电极层，还包括与栅极介质层顶部相连的栅极；外延层中紧贴栅极沟槽的两侧具有P‑we l l阱区，P‑we l l阱区顶部具有源极接触N+区域；还包括设于外延层上表面的肖特基金属层。本实用新型通过在紧贴栅极沟槽处设置P‑we l l阱区，与现有技术相比，节省P‑we l l空间、提高器件整体的功率密度进而降低成本。此外通过设置肖特基金属层将SBD集成在本实用新型中，结合SBD和Si C‑MOS的优点，可以有效降低MOS的反向恢复电荷，提升反向开关特性及减少开关损耗。