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一种绝缘栅双极型晶体管结构

基本信息

申请号	CN202122975801.8	申请日	-
公开（公告）号	CN216389384U	公开（公告）日	2022-04-26
申请公布号	CN216389384U	申请公布日	2022-04-26
分类号	H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	徐守一;陈思凡;蔡铭进	申请（专利权）人	厦门芯达茂微电子有限公司
代理机构	厦门加减专利代理事务所（普通合伙）	代理人	包爱萍
地址	361000福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场北楼606、607、609室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种绝缘栅双极型晶体管结构，与现有技术相比，本实用新型提供的一种绝缘栅双极型晶体管结构，通过于衬底上生长的方式依次形成集电区、截止区和漂移区，并且通过深沟结构和连接层的设置实现集电极和集电区金属接触，在生长过程中可控制截止区和漂移区各自的掺杂浓度，因此本实用新型对于衬底的选择范围较广，而对于现有技术中通过背侧高能注入离子并镭射退火形成截止区集电区的方式而言，衬底往往选择掺杂浓度低的半导体材料，且为了获得较低地Vce（sat），晶片会被研磨的很薄，进而需要通过TAI KO工艺提高研磨至很薄的晶片强度，而本实用新型则无需采用上述工艺中的昂贵设备，具有较低的生产成本。