一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010772615.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068669A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068669A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐守一;赖银坤;蔡铭进 | 申请（专利权）人 | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门加减专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王春霞 |
| 地址 | 361006福建省厦门市湖里区火炬高新区火炬路56-58号火炬广场北楼606号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种具有分裂栅结构的超级结MOS及其制备方法，其中，具有分裂栅结构的超级结MOS，包括cell区域，所述cell区域上设有Split Gate结构和Super Junction结构。本发明提供的分裂栅结构的超级结MOS，通过Split Gate和Super Junction相结合的结构设计，能够使得整个超级结MOS同时具备Split Gate和Super Junction的优点，可以有效降低MOS的Qg和Rds（on），解决了现有的Super Junction MOS的Qg大，导致开关速度慢的问题，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。 |
