整合FRD的IGBT器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210035642.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334815A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334815A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L21/8222（2006.01）I;H01L21/225（2006.01）I;H01L27/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐守一;陈广乐;蔡铭进 | 申请（专利权）人 | 厦门芯达茂微电子有限公司 |
| 代理机构 | 厦门加减专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 包爱萍 |
| 地址 | 361000福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场北楼606、607、609室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种整合FRD的IGBT器件的制造方法，其包括在衬底的正面形成保护环；在衬底的正面设置氧化层；在部分的衬底的正面设置多个栅极；在栅极之间设置P型阱层；在部分的P型阱层的正面设置N型发射层；在N型发射层、栅极和氧化层的正面设置介质层；注入N导电类型的离子和P导电类型的离子；进行重金属掺杂工艺；在介质层的正面设置金属发射极，和在第一N型层的正面设置FRD阴极。借此，IGBT器件无需外加FRD器件，在封装时能减少寄生参数，提高芯片可靠性，并能节省封装面积使得封装更加灵活。并且，通过引入重金属掺杂，可以降低载流子寿命，提高载流子的复合速度，从而提高开关速度。 |
