一种用于烧结DBC半导体基板的装置

基本信息

申请号 CN202121117968.4 申请日 -
公开(公告)号 CN215952195U 公开(公告)日 2022-03-04
申请公布号 CN215952195U 申请公布日 2022-03-04
分类号 F27B9/12(2006.01)I;F27B9/04(2006.01)I;F27B9/24(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I 分类 炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉〔4〕;
发明人 周开明;刘瑞生;田茂标;羊李红;唐春梅;周伟;杨海蓉 申请(专利权)人 成都万士达瓷业有限公司
代理机构 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 代理人 康拯通
地址 611332四川省成都市大邑县沙渠镇蜀华路115号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种用于烧结DBC半导体基板的装置,涉及半导体技术领域,包括机架、动力机构、传送机构、高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构;动力机构、传送机构、高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构均安装在机架上,且动力机构驱动传送机构,高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构沿传送机构传送方向依次设置在传送机构上,依次对DBC半导体基板进行高温烧结、冷却和防氧化保护。通过在高温烧结机构后端依次设置有冷却机构和防氧化机构,冷却机构对高温烧结机构烧结后的物料进行快速冷却,防氧化机构对冷却机构冷却后的物料进行防氧化保护,以快速冷却得到高温烧结后的物料;以流水线的形式对DBC半导体基板进行烧结工艺,以提高生产效率。