一种用于烧结DBC半导体基板的装置
基本信息
申请号 | CN202121117968.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN215952195U | 公开(公告)日 | 2022-03-04 |
申请公布号 | CN215952195U | 申请公布日 | 2022-03-04 |
分类号 | F27B9/12(2006.01)I;F27B9/04(2006.01)I;F27B9/24(2006.01)I;H01L23/15(2006.01)I | 分类 | 炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉〔4〕; |
发明人 | 周开明;刘瑞生;田茂标;羊李红;唐春梅;周伟;杨海蓉 | 申请(专利权)人 | 成都万士达瓷业有限公司 |
代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人 | 康拯通 |
地址 | 611332四川省成都市大邑县沙渠镇蜀华路115号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种用于烧结DBC半导体基板的装置,涉及半导体技术领域,包括机架、动力机构、传送机构、高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构;动力机构、传送机构、高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构均安装在机架上,且动力机构驱动传送机构,高温烧结机构、冷却机构和防氧化机构沿传送机构传送方向依次设置在传送机构上,依次对DBC半导体基板进行高温烧结、冷却和防氧化保护。通过在高温烧结机构后端依次设置有冷却机构和防氧化机构,冷却机构对高温烧结机构烧结后的物料进行快速冷却,防氧化机构对冷却机构冷却后的物料进行防氧化保护,以快速冷却得到高温烧结后的物料;以流水线的形式对DBC半导体基板进行烧结工艺,以提高生产效率。 |
