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含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111164035.5 申请日 -
公开（公告）号 CN113871604A 公开（公告）日 2021-12-31
申请公布号 CN113871604A 申请公布日 2021-12-31
分类号 H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/48（2010.01）I;H01M4/583（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 侯佼;王兴蔚;朱杰;马勇;侯春平;贺超;杨丹 申请（专利权）人 博尔特新材料（银川）有限公司
代理机构 银川瑞海陈知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 贠天娥
地址 750011宁夏回族自治区银川市工业园创业园A区20号厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料及其制备方法，以含硅矿物提纯样、纳米硅粉和碳包覆氧化亚硅微粉为硅源，经固相混合、喷雾造粒和低温热解后，控制HF浓度和反应时间，刻蚀部分SiO2形成微米级大孔作为一级缓冲结构，并以引入的低膨胀碳包覆氧化亚硅作为二级缓冲结构，然后，通过镁热还原和酸洗中间产物形成中孔‑大孔作为三级缓冲结构，得到多孔硅碳前驱体。最后，有机碳源经真空浸渍均匀包覆在前驱体表面形成四级缓冲结构，制备得到四重缓冲保护的核壳结构含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料。该含硅矿物基多孔硅碳复合负极材料具有高容量、高倍率充放电性能、长循环寿命、加工性能优异，以及生产成本低等优点。