用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310257878.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103456877B | 公开（公告）日 | 2016-01-27 |
| 申请公布号 | CN103456877B | 申请公布日 | 2016-01-27 |
| 分类号 | H01L35/34(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈志明;顾伟 | 申请（专利权）人 | 深圳凯联达新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 | 代理人 | 陈志明;顾伟;苏州伟源新材料科技有限公司;深圳凯联达新材料科技有限公司 |
| 地址 | 550200 贵州省贵阳市修文县扎佐镇腾飞路23号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制冷或制热器件的N型半导体元件制作方法，该N型半导体元件由碲、铋、硒材料制成，先将碲、铋、硒材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲40～44份、铋53～57份、硒28～32份。本发明的N型半导体元件在工作时两端的温差较大，经测试本发明的N型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73～78度左右。所以本发明具有工作效率高、能耗较低的优点。本发明的N型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。 |
