优化CMP清洗能力的方法
基本信息
| 申请号 | CN202111544391.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114178979A | 公开（公告）日 | 2022-03-15 |
| 申请公布号 | CN114178979A | 申请公布日 | 2022-03-15 |
| 分类号 | B24B37/10（2012.01）I;B24B37/04（2012.01）I;H01L21/306（2006.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 李松;宋振伟;张守龙 | 申请（专利权）人 | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种优化CMP清洗能力的方法，提供晶圆，晶圆上形成有接触孔，且接触孔填充有导电金属；对晶圆进行采用酸性研磨液的第一研磨，其中晶圆与酸性研磨液反应生成副产物；对晶圆进行清洗，以去除晶圆上的酸性研磨液和副产物；对晶圆进行采用碱性研磨液的第二研磨。本发明避免了络合物在接触孔处聚集，在进行化学机械平坦化时减少了缺陷的形成，避免影响到产品良率，优化之后的结果与良率结果均符合要求。 |
