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浮栅及闪存的形成方法

基本信息

申请号 CN202111574035.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114188406A 公开（公告）日 2022-03-15
申请公布号 CN114188406A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H01L29/40（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L27/11517（2017.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 贾红丹;顾林;王虎;王裕晓;王震 申请（专利权）人 华虹半导体（无锡）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 骆苏华
地址 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号
法律状态 -

摘要

摘要 本公开实施例提供一种浮栅及闪存的形成方法。所述浮栅形成方法包括：提供衬底，所述衬底内具有多个浅槽隔离结构，相邻的浅槽隔离结构之间构成凹槽，并且在相邻的浅槽隔离结构之间的衬底表面覆盖有隧穿介质层；形成浮栅层，覆盖所述浅槽隔离结构和所述隧穿介质层；对所述浮栅层进行退火，所述退火的温度为850℃～1200℃。所述闪存的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅；在浮栅上形成第二隧穿介质层；以及在所述隧穿介质层上形成控制栅。本公开实施例通过在形成浮栅后进行退火，能够改善在填充浮栅层时产生的空洞，进而提高制备出的闪存的良率和可靠性。