半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111494126.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114203827A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114203827A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/788（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L27/11517（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 许昭昭 | 申请（专利权）人 | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 唐嘉 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 半导体结构及其形成方法，其中一种半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的选择栅结构；位于所述选择栅结构上的辅助栅结构；位于所述选择栅结构和所述辅助栅结构两侧的衬底上的侧墙栅结构，所述侧墙栅结构包括控制栅结构和浮栅结构，所述浮栅结构位于所述控制栅结构的侧壁与所述选择栅结构和所述辅助栅结构的侧壁之间以及位于所述控制栅结构与所述衬底之间。通过减薄所述选择栅结构中的栅介质层的厚度，能够延缓短沟道效应并增加所述选择栅结构的控制能力。 |
