图像传感器的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202111547475.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156298A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156298A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑晓辉;张栋;范晓;李佳龙 | 申请（专利权）人 | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张瑞;唐嘉 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底内具有第一离子；在所述衬底内形成若干深沟槽；在所述深沟槽内形成掺杂外延层，所述掺杂外延层填充满深沟槽，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同，所述掺杂外延层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第二区的侧壁与所述第一区的侧壁之间具有夹角；采用第一平坦化处理，去除所述第二区。通过在所述深沟槽内形成所述掺杂外延层，掺杂外延层填充满深沟槽；再采用第一平坦化处理，去除第二区。利用在形成掺杂外延层之后，采用第一平坦化处理将发生晶格位错的第二区进行去除，进而有效减少白噪声的产生，以提升最终形成的图像传感器的性能。 |
