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半导体结构的形成方法

基本信息

申请号 CN202111520638.4 申请日 -
公开（公告）号 CN114220816A 公开（公告）日 2022-03-22
申请公布号 CN114220816A 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L27/11521（2017.01）I;H01L27/11526（2017.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 段松汉;齐翔羽;薛立平;佟宇鑫;顾林;王虎 申请（专利权）人 华虹半导体（无锡）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 唐嘉
地址 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体结构的形成方法，包括：回刻蚀所述第一介质材料层和第二介质材料层直至暴露出所述刻蚀停止层，在所述第一开口侧壁以及所述第三栅极侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙包括第一介质层和第二介质层，以所述第一介质材料层形成第一介质层，以所述第二介质材料层形成第二介质层；以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一开口下方的存储区内形成存储漏区；在形成所述存储漏区后，去除所述第一开口内的所述第二介质层；去除所述第一开口内的所述第二介质层后，在所述第一开口侧壁、所述第三栅极侧壁形成第二侧墙，所述第二侧墙的厚度小于所述第二介质层的厚度，利于后续层间介质层在第一栅极和第二栅极之间的填充，从而提高器件的性能。