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图像传感器及图像传感器的形成方法

基本信息

申请号 CN202111547484.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114156299A 公开（公告）日 2022-03-08
申请公布号 CN114156299A 申请公布日 2022-03-08
分类号 H01L27/146（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王龙鑫;范晓;陈广龙;余航;向超 申请（专利权）人 华虹半导体（无锡）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 朱得菊;唐嘉
地址 214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号
法律状态 -

摘要

摘要 一种图像传感器及其形成方法，结构包括：基底，基底包括第一面；位于基底第一面上的电容结构，电容结构包括第一电极层、位于第一电极层上的介电层以及位于介电层上的第二电极层；位于第一电极层上的第一插塞；位于第二电极层上的第二插塞；位于第一插塞上的第一顶层金属，第一顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第一插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，第一顶层金属与像素区电连接；位于第二插塞上的第二顶层金属，第二顶层金属沿平行于基底表面方向上的宽度是第二插塞沿平行于基底表面方向上的宽度的两倍以上，第二顶层金属与外部电压电连接。所述第一插塞和第二插塞能够占用较小的面积，以满足小尺寸图像传感器的需求。