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半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202111448256.5	申请日	-
公开（公告）号	CN114171679A	公开（公告）日	2022-03-11
申请公布号	CN114171679A	申请公布日	2022-03-11
分类号	H01L49/02（2006.01）I;H01L27/146（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	余航;范晓;陈广龙;向超;王龙鑫	申请（专利权）人	华虹半导体（无锡）有限公司
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	戴广志
地址	214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：形成第二层间绝缘介质层，其中形成阵列式排布的多个沟槽；在所述沟槽内以及所述第二层间绝缘介质层表面依次形成金属下极板、介质层、金属上极板和金属接触层；去除所述第二层间绝缘介质层表面的所述金属下极板、所述介质层、所述金属上极板和所述金属接触层以得到沟槽型阵列排布的MIM电容器。本发明还提供一种半导体器件。本申请通过在所述第二层间绝缘介质层中的沟槽内形成阵列排布的沟槽型MIM电容器，可以减少MIM电容器在半导体器件中的占用面积，有效提升小尺寸半导体器件的面积利用效率，并且提高了电容密度，相比传统平面型的MIM电容，沟槽型MIM电容器的密度至少提升5到10倍。