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一种大功率MOSFET逆变半桥器件

基本信息

申请号 CN201120285048.3 申请日 -
公开（公告）号 CN202168004U 公开（公告）日 2012-03-14
申请公布号 CN202168004U 申请公布日 2012-03-14
分类号 H02M7/48(2007.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H01L23/473(2006.01)I 分类 发电、变电或配电;
发明人 彭咏龙;甄幸禄 申请（专利权）人 保定三伊天星电气有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 071051 河北省保定市向阳北大街1968号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种大功率MOSFET逆变半桥器件，包括两组对称设置的MOS管、二极管和阻容吸收器件，两组MOS管、二极管和阻容吸收器件分别设置在第一水冷板和第二水冷板上；两组MOS管、二极管和阻容吸收器件的供电部分通过连接片分别与第一水冷板和第二水冷板相连；第一水冷板和第二水冷板分别为直流供电电源的导电正、负极板。本实用新型以水冷板作为直流供电电源的正、负极板，将MOS管、二极管、阻容吸收器件也安装在此水冷板上，水冷板既作为直流的导电极板，同时又作为功率器件的散热器。本实用新型省掉了原结构的直流供电电源极板，使结构更加紧凑，由于水冷板的面积很大，导电性能优异，使得杂散电感降到了最低。