多晶硅电阻及其制造方法、逐次逼近型模数转换器
基本信息
| 申请号 | CN202110677950.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113437217A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113437217A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L49/02（2006.01）I;H03M1/46（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡蓉彬 | 申请（专利权）人 | 重庆吉芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 李铁 |
| 地址 | 401334重庆市沙坪坝区凤凰镇皂角树村临谢家院子组2号2-2室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅电阻及其制造方法、逐次逼近型模数转换器，在形成多晶硅电阻时，利用绝缘体上硅工艺的特点，把绝缘体上硅衬底的上层硅衬底层划分成一个个绝缘隔离的衬底隔离区，并在上层硅衬底层上依次形成氧化硅层和多晶硅电阻层，且多晶硅电阻层被划分成若干个多晶硅电阻块，若干个多晶硅电阻块被一一对应地置于若干个衬底隔离区上，使得衬底隔离区的电位紧紧跟随多晶硅电阻块的电位，使得多晶硅电阻块与下面的衬底隔离区无法形成较强的电场，消除了多晶硅电阻上的载流子聚边效应；将该多晶硅电阻应用到逐次逼近型模数转换器的前端电阻分压网络上时，可有效提高电阻分压网络的线性度，降低了逐次逼近型模数转换器的积分非线性度。 |
