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集成激光器件及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110302598.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113113838A	公开（公告）日	2021-07-13
申请公布号	CN113113838A	申请公布日	2021-07-13
分类号	H01S5/024（2006.01）I;H01S5/0234（2021.01）I;H01S5/12（2021.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	李军;石文虎;李哲;张天明;胡云;周秋桂	申请（专利权）人	武汉华工正源光子技术有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430223湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种集成激光器件，包括由下至上依次堆叠布设的硅支撑片层、硅光芯片层以及半导体激光器层，硅光芯片层集成有用于将半导体激光器层产生的热量散出的散热器，散热器贴合硅支撑片层设置。本发明的一种集成激光器件的制备方法，包括S1，预先制作硅光芯片层，并在硅光芯片层中集成散热器；S2，制作好硅光芯片层后，将硅光芯片层翻转倒过来并结合至硅支撑片层上；S3，去掉硅光芯片层的硅衬底，留下氧化硅层在顶部，将半导体激光器层堆叠在硅光芯片层上；S4，对半导体激光器层进行后续加工以完成集成激光器件的制备。本发明通过集成散热器，可以加强激光器散热能力，避免了现有技术中的温度限制，提高激光性能，有望提升高温下的总输出功率。