一种Flash掉电数据存储方法及系统
基本信息
| 申请号 | CN202111558513.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114428588A | 公开（公告）日 | 2022-05-03 |
| 申请公布号 | CN114428588A | 申请公布日 | 2022-05-03 |
| 分类号 | G06F3/06（2006.01）I;G06F11/10（2006.01）I;G06F11/14（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 冯小雅;肖多岭;曾海槟 | 申请（专利权）人 | 深圳市拔超科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘爱珍 |
| 地址 | 518103广东省深圳市宝安区福海街道展城社区和秀西路87号和景工业区第16栋301-401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种flash掉电数据存储方法，方法包括：在MCU芯片片内flash设置一掉电存储区；将掉电存储区划分为多份相等地址空间大小的掉电存储区块；循环将数据写入到掉电存储区块并更新前一个掉电存储区块的标志；其中，掉电存储区地址空间大小至少为16K；还包括对未写入的掉电存储区块标记的步骤：在掉电存储区块写入数据时将第一地址空间写入第二标志，在写入完成时将第二标志更新为第一标志，并将上一掉电存储区块的第一地址空间写入第三标志；还公开了一种flash掉电数据存储装置。通过在MCU的芯片内部flash设置掉电存储区，节约了硬件成本，提高了读写效率，保证了掉电数据的完整性。 |
