再循环用于沉积半导体层的气体的系统和方法
基本信息
| 申请号 | CN200980149214.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102246272A | 公开（公告）日 | 2011-11-16 |
| 申请公布号 | CN102246272A | 申请公布日 | 2011-11-16 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | J·M·斯特芬斯;B·O·斯蒂姆森;G·N·侯塞因 | 申请（专利权）人 | 阳基集团有限公司 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 薄膜硅公司;阳基集团有限公司 |
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种再循环系统包括处理室、回收贮藏器和混合贮藏器。处理室被构造为接收沉积在半导体层上的沉积气体。处理室具有排出沉积气体的未用部分作为排泄气体的排气装置。回收贮藏器与处理室流体连通。回收贮藏器被构造为接收并存储来自处理室的排泄气体。混合贮藏器与回收贮藏器和处理室流体连通。混合贮藏器被构造为将排泄气体与原料气体进行混合以形成再循环沉积气体。混合贮藏器向处理室提供再循环沉积气体以沉积半导体层的附加部分。 |
