一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200810207491.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101447532A | 公开（公告）日 | 2009-06-03 |
| 申请公布号 | CN101447532A | 申请公布日 | 2009-06-03 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陶龙忠;邢国强 | 申请（专利权）人 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 |
| 地址 | 200436上海市闸北区江场三路36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法，该方法是在太阳电池的正面和背面制备叠层钝化层，利用丝网印刷在背面叠层钝化层上印制腐蚀性浆料的方法，在背面叠层钝化层开电极窗口，然后在其上丝网印刷或溅射法形成背电极。本发明利用丝网印刷腐蚀性浆料的方法，实现了双面钝化太阳电池结构。双面钝化结构，大大提高太阳电池长波响应，提高了太阳电池的转换效率，同时因为取消了全铝背场结构，采用局部铝背场，减小了太阳电池的弯曲，更适应太阳电池薄片化的趋势。使用丝网印刷技术代替了光刻、激光烧结的办法，节约了生产成本，更适合大规模生产。 |
