一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺
基本信息
| 申请号 | CN200810207489.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101447530B | 公开（公告）日 | 2010-06-09 |
| 申请公布号 | CN101447530B | 申请公布日 | 2010-06-09 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李静;朴松源;郭育林;王鹏 | 申请（专利权）人 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州知友专利商标代理有限公司 | 代理人 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司;上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司 |
| 地址 | 200436 上海市闸北区江场三路36号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)纯水喷淋；(2)超声波清洗；(3)纯水再次喷淋；(4)循环纯水浸渍。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底清除掉硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 |
