一种多元合金膜层的沉积装置及运用该装置的沉积工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110435418.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113186500A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113186500A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | C23C14/32（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/14（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 廖斌;陈琳;王国梁;罗军;庞盼 | 申请（专利权）人 | 广东省广新离子束科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州圣理华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 董觉非;张凯 |
| 地址 | 510663广东省广州市黄埔区光谱东路179号百事高智慧园C栋101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多元合金膜层的沉积装置及运用该装置的沉积工艺，涉及等离子镀膜领域。该沉积装置包括等离子发生器以及真空腔室，其中，等离子体发生器包括一主管道和多个分支管道，通过该沉积装置能实现采用单元或二元合金作为靶材进行高熵合金膜层的制备，并还能通过对磁场的电流大小的控制对合金元素成分比例进行调控。采用基于沉积装置的多元合金膜层的沉积工艺，能采用单元或二元合金作为靶材进行高熵合金膜层的制备，并还能通过对磁场的电流大小的控制对合金元素成分比例进行调控，调整方便。 |
