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一种离子源阴极结构及运用该阴极结构的离子束产生方法

基本信息

申请号 CN202011358109.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112490099A 公开（公告）日 2021-03-12
申请公布号 CN112490099A 申请公布日 2021-03-12
分类号 H01J27/22(2006.01)I;H01J37/08(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 廖斌;庞盼;王国梁;罗军;陈琳 申请（专利权）人 广东省广新离子束科技有限公司
代理机构 广州圣理华知识产权代理有限公司 代理人 董觉非;张凯
地址 510663广东省广州市黄埔区光谱东路179号百事高智慧园C栋101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种离子源阴极结构及运用该阴极结构的离子束产生方法，涉及等离子源领域。该方案包括固定法兰盘、屏蔽套以及阴极靶材，固定法兰盘穿设有螺纹调节杆，螺纹调节杆的一端与阴极靶材连接并驱动阴极靶材沿螺纹调节杆的轴线方向移动，螺纹调节杆的另一端设置有调节部。提供一种离子源阴极结构以及离子束的产生方法，当阴极靶材发生一定的消耗后，通过调节部可带动螺纹调节杆旋转，而螺纹调节杆可带动阴极靶材移动，从而对阴极靶材与屏蔽套之间的相对位置进行调节，使阴极靶材的端面在消耗后能够调整到消耗前的位置，保持阴极靶材产生等离子体的稳定性保持经过离子加速电路加速后的离子束流强度的稳定性以及提高阴极靶材的有效利用率。