一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011576672.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114684813A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114684813A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C01B32/186（2017.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 武斌;姚文乾;张家宁;刘云圻 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 100190北京市海淀区中关村北一街2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种制备大面积均匀单层石墨烯薄膜的方法。该方法将电化学抛光后的单晶基底铜（111）放入高温管式炉，采用化学气相沉积法即可得到大面积均匀单层石墨烯薄膜。本发明利用两步碳源供给，先高碳源生长多层石墨烯大面积薄膜，继而降低碳源，并维持小碳源的长时间供给，多层区域优先刻蚀，最终会达到刻蚀与生长的动态平衡，得到大面积连续单层石墨烯薄膜。 |
