一种考虑雾化和邻近效应的超大规模集成电路布局方法
基本信息
| 申请号 | CN202010329234.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111539167A | 公开（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申请公布号 | CN111539167A | 申请公布日 | 2020-08-14 |
| 分类号 | G06F30/3308(2020.01)I;G06F30/392(2020.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈建利;林智峰;黄志鹏 | 申请（专利权）人 | 福州立芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人 | 福州立芯科技有限公司 |
| 地址 | 350100福建省福州市闽侯县南屿镇乌龙江南大道79号信通国际中心3#1303 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种考虑雾化和邻近效应的超大规模集成电路布局方法，包括如下步骤：(1)对电子束光刻EBL中雾化和邻近效应建立能量分布模型并描述其变化；(2)优化全局布局中的模型与函数，确定平滑的目标函数；(3)引入新变量将无约束最小化问题化为具有线性约束的可分离最小化问题CSMP；(4)确定可分离最小化问题的邻近组ADMM算法与迭代式；(5)解决邻近组迭代中的两个子问题；(6)对邻近组ADMM算法进行收敛性分析。该方法有利于减少雾化和邻近效应带来的不良影响，提升布局效率。 |
