半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010777534.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068398A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068398A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘中元 | 申请（专利权）人 | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：衬底，所述衬底上形成有第一介质层；金属连接结构，贯穿所述第一介质层且所述金属连接结构的顶面高于所述第一介质层的顶面，所述金属连接结构顶部的宽度大于所述金属连接结构底部的宽度；阻挡层，位于所述第一介质层表面，所述阻挡层的顶面与所述金属连接结构的顶面共面；第二介质层，位于所述阻挡层表面和所述金属连接结构表面；层间连接结构，贯穿所述第二介质层且电连接所述金属连接结构。所述结构一方面可以避免形成层间连接结构时过量刻蚀，影响后续形成所述层间连接结构；另一方面可以增大层间连接结构的核心尺寸，提高其填充质量。 |
