半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010710127.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113972136A | 公开（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申请公布号 | CN113972136A | 申请公布日 | 2022-01-25 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨勇;吴倩倩 | 申请（专利权）人 | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和辅助区，所述辅助区位于所述鳍片区的外侧，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；补强层，位于所述半导体衬底表面和所述若干鳍片的部分侧壁；隔离层，位于所述补强层表面；缓冲隔离结构，位于所述辅助区且贯穿所述隔离层。本申请所述的半导体结构及其形成方法，在所述辅助区形成缓冲隔离结构，所述缓冲隔离结构可以平衡所述若干鳍片中最外侧的鳍片受到的应力，避免所述若干鳍片中最外侧的鳍片由于应力不平衡而倾斜甚至弯折，解决鳍片缺陷问题，提高产品良率。 |
