基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法
基本信息
| 申请号 | CN202010743331.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114068340A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114068340A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张海;杨晓松;吴怡旻 | 申请（专利权）人 | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京市一法律师事务所 | 代理人 | 刘荣娟 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有光阻层；在所述光阻层中形成若干第一沟槽；在剩余光阻层中形成若干第二沟槽。本申请所述的基于衍射的LLE套刻测量标记的形成方法及套刻测量方法，在形成所述第一沟槽后，虚拟填充所述第一沟槽，然而再形成所述第二沟槽，避开禁止在同一膜层连续进行两次相同的工艺的设计规则，在光阻层中形成包括第一沟槽和第二沟槽的光栅结构，用于进行DBO测量。 |
