半导体器件的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202010851431.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114079008A | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN114079008A | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | H01L49/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 江涛 | 申请（专利权）人 | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴敏 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号3号楼5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成氮化钛材料层；采用还原气体对所述氮化钛材料层进行还原处理；图案化所述氮化钛材料层，以去除部分所述氮化钛材料层，形成氮化钛层。本发明实施例提供的半导体器件的形成方法，可以还原被氧化后的氮化钛，得到稳定的氮化钛层，有利于提高半导体器件的性能。 |
