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一种微桥结构、微电子器件及微桥结构的制作方法

基本信息

申请号 CN201811291270.7 申请日 -
公开（公告）号 CN109256401A 公开（公告）日 2019-01-22
申请公布号 CN109256401A 申请公布日 2019-01-22
分类号 H01L27/144;H01L31/02;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 许正一;陈敏;吴多武 申请（专利权）人 南京方旭智芯微电子科技有限公司
代理机构 北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 南京方旭智芯微电子科技有限公司
地址 210000 江苏省南京市浦口区南京海峡两岸科技工业园台中路99-263号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明实施例提供一种微桥结构、微电子器件及微桥结构的制作方法，该微桥结构包括读出电路基底，该读出电路基底上制作有第一引出电极；位于读出电路基底一侧且覆盖第一引出电极的第一钝化层；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二引出电极；位于第一钝化层远离读出电路基底一侧的第二钝化层，该第二钝化层覆盖第二引出电极的部分区域；位于第二引出电极远离第一钝化层一侧的桥墩结构，该桥墩结构与第二引出电极接触；其中，第一钝化层上开设有贯穿该第一钝化层两侧的第一通孔，第一通孔中填充有用于第一引出电极与第二引出电极连接的第一连接电极，本发明能够有效降低微桥结构的工艺难度，确保器件良率。