一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210284742.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686861A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686861A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/52（2006.01）I;C23C16/26（2006.01）I;C23C16/02（2006.01）I;C23C16/46（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘畅;李鑫;张峰;侯鹏翔;张莉莉;石超;成会明 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 |
| 代理机构 | 沈阳优普达知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及单壁碳纳米管网络形貌可控制备领域，具体为一种晶面台阶取向与高度控制生长单壁碳纳米管网络形貌的方法。选择铝酸镁尖晶石MgAl2O4衬底的（100）、（110）和（111）面，通过热处理条件调控衬底晶面的结晶度和原子台阶取向、高度，利用常压化学气相沉积法，分别在三种晶面上直接生长正交、平行和杂乱取向的单壁碳纳米管网络。本发明通过选取衬底晶面和调控台阶取向与高度，基于单壁碳纳米管与晶面原子的强相互作用，分别实现了正交、平行和杂乱取向单壁碳纳米管网络形貌的控制，为探索新型碳纳米管基纳电子器件奠定了材料基础。 |
