一种用于横磁模阶数转换的模式转换器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111219865.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113885131A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113885131A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G02B6/122（2006.01）I;G02B6/14（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 林天营;孙旭;胡朝阳 | 申请（专利权）人 | 苏州海光芯创光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 任晓婷 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区平胜路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于横磁模阶数转换的模式转换器及其制造方法，设计低阶段、过渡段、高阶段的一侧平齐为平齐侧，过渡段沿光传播方向的两端分别与低阶段和高阶段对接，过渡段为双层结构；采用优化方法确定过渡段的结构，选定转化率最大的过渡段的结构，完成光波导结构的结构设计；在衬底上设置设计的光波导结构，制成用于横磁模阶数转换的模式转换器。所述用于横磁模阶数转换的模式转换器能够以较高的转换效率实现波导中横磁一阶模和横磁二阶模的互相转换。 |
