一种碳基薄膜合成方法
基本信息
申请号 | CN98111833.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN1141415C | 公开(公告)日 | 2004-03-10 |
申请公布号 | CN1141415C | 申请公布日 | 2004-03-10 |
分类号 | C23C14/48 | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 黄楠;冷永祥;杨萍;陈俊英;孙鸿 | 申请(专利权)人 | 成都拜尔麦迪克医疗科技有限公司 |
代理机构 | 成都博通专利事务所 | 代理人 | 西南交通大学;成都拜尔麦迪克医疗科技有限公司 |
地址 | 610031四川省成都市 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及真空沉积薄膜技术领域,针对现有方法无法在复杂工件表面合成质量优良的高硬度薄膜,分别采用碳作为金属等离子体源,氮作气体等离子体源,用等离子体浸没离子注入方法,在具有复杂形状的工件表面形成类金刚石薄膜或碳氮化合物薄膜。本发明所述的方法,可以在形状复杂的工件表面合成具有超高硬度、较高结合力、耐磨损、耐腐蚀的薄膜,主要应用于人工器官表面改性领域。 |
