在中温下弹坑检测的预处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201711041685.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107799399B | 公开（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申请公布号 | CN107799399B | 申请公布日 | 2020-01-03 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 章建声;曹弦;黄迅驹;张青云 | 申请（专利权）人 | 浙江华越芯装电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 绍兴市越兴专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 浙江华越芯装电子股份有限公司 |
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市环城西路天光桥3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种在中温下弹坑检测的预处理方法，先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5‑10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5‑10分钟，最后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测。上述在中温下弹坑检测的预处理方法，通过腐蚀液A、腐蚀液B在中温状态下先后腐蚀，即可实现AL‑Si‑CU电极层上铜丝球焊质量的检测，整个预处理过程快速高效、安全环保，且操作方便。 |
