太阳能电池

基本信息

申请号 CN201410712963.4 申请日 -
公开(公告)号 CN104752535B 公开(公告)日 2017-02-22
申请公布号 CN104752535B 申请公布日 2017-02-22
分类号 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郑淑;黄福林;刘远宏 申请(专利权)人 河北曹妃甸汉能薄膜太阳能有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 河北曹妃甸汉能光伏有限公司;河北曹妃甸汉能薄膜太阳能有限公司
地址 063200 河北省唐山市曹妃甸工业区市政大厦5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了半导体材料及其制备方法和应用,其中,半导体材料的化学组成为:CuInxGayR1‑x‑ySe2,其中,0<x<1,0<y<0.5,并且x+y<1,R为选自La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Ru、Sc和Y中的至少一种。该半导体材料可以用于太阳能电池的吸收层。