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单面湿法黑硅硅片

基本信息

申请号	CN201711034094.4	申请日	-
公开（公告）号	CN107887459B	公开（公告）日	2019-09-03
申请公布号	CN107887459B	申请公布日	2019-09-03
分类号	H01L31/0236;H01L31/18	分类	基本电气元件;
发明人	宫龙飞;金善明;张喜	申请（专利权）人	扬州协鑫光伏科技有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	扬州协鑫光伏科技有限公司;苏州协鑫光伏科技有限公司
地址	225000 江苏省扬州市八里镇金山路129号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种单面湿法黑硅硅片，采用单面湿法黑硅硅片的制备方法制备得到，包括如下步骤：将若干个硅片以两两相并的方式放置，其中，两两相并的两个硅片之间的距离为0.1mm～3mm；采用动态反应对硅片进行双面抛光，得到双面抛光后的硅片；采用湿法刻蚀对双面抛光后的硅片进行单面制绒，其中，湿法刻蚀中的反应过程均静置，得到单面制绒后的硅片；以及将两两相并的单面制绒后的硅片进行分离，得到单面湿法黑硅硅片。由于硅片以两两相并的方式放置以进行双面抛光以及单面制绒，且湿法刻蚀中的反应过程均静置，能够阻止在硅片背面形成绒面结构。因此，分离之后能够直接得到单面湿法黑硅硅片，无需后续再去除硅片背面的绒面，从而简化了制备方法。